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AMPLEON公司的LDMOS晶体管实现超高RF输出功率
发布时间:2015-04-12 点击数:119
AMPLEON公司已设计了一种横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)晶体管,该产品用于L波段雷达应用,可在1.2GHz和1.4GHz频率范围内提供前所未有的500W RF输出功率。

LDMOS L波段RF功率晶体管面向广泛的L波段雷达应用,与同类二极管相比,它创造了效率(漏极效率>50%)、增益(17dB)的新标准,并可承受500W的功率。

该型L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要性能参数为: 500W 峰值输出功率(在1.4GHz、100µs 脉宽、25%占空比下); 17dB增益;50%漏极效率;更高耐用度;可安全耐受高达5dB的过驱动;改善的脉冲衰减性能(0.2dB); 50V供电电压;无毒性包装;符合ROHS标准。对于L波段雷达设计,该元件兼具二极管的高功率密度和LDMOS技术的优势,并且可以用对环境友好的陶瓷封装来替代含BeO的封装

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